作者：何杰;摘要：信息科学不断发展,半导体科学学科的资助范围也随之不断进行微调.45纳米以下的微电子学器件与工艺探索为大家提供了广阔的研究空间;自下而上的纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学等领域的研究更加活跃和迫切;光电子学、光子学、光电子和光子集成也不断发展;而相关的新材料、新器件探索层出不穷;微纳光机电器件与系统的应用领域不断拓展,研究也呈欣欣向荣之势.本文将简述2007年半导体科学基金申请与资助概况及近期走向,并附2007年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.

作者：黄晓东;黄见秋;秦明;黄庆安;摘要：提出了一种新的电容式压力传感器,传感器结构为由Al/SiO2/n-typeSi等三层方形膜构成的固态电容.传感器采用pn结自停止腐蚀和粘结剂键合的方式制造,制造过程仅需三块掩模板.对不同边长传感器进行测试,在410～1010hPa的动态范围,边长为1000,1200和1400μm的压力传感器,相应灵敏度分别为1.8,2.3和3.6fF/hPa.边长为1500μm的传感器,其灵敏度为4.6fF/hPa,全程非线性度为6.4%,最大滞回误差为3.6%.分析结果表明介电常数变化是引起电容变化的主要原因.

作者：穆参军;张飞岭;吴亚明;摘要：设计并制作了一种结构新颖的镜面尺寸为6mm×4mm的电磁驱动MEMS光学扫描镜.这种背面为微型铜驱动线圈的MEMS硅基扭转镜面沉浸在由包含永磁体的磁回路产生的磁场中,当电流信号通过驱动线圈时,MEMS光学扫描镜绕着扭转梁发生了大角度的扫描运动.采用MEMS体硅加工工艺和电镀技术制作的器件显示出了优良的性能,实验获得的扫描镜静态转角斜率为0.03°/mA,当器件进行动态扫描时,在381Hz的谐振频率下获得了最大±10.2°的光学扭转角度,空气中的Q因子为221,相应的功耗为13μW,与此同时MEMS光学扫描镜具备了出色的镜面粗糙度、光学反射率和镜面平整度.实验证明该器件完全适合于微型光谱仪和可调光滤波器的应用.

作者：车文毅;闫娜;杨玉庆;闵昊;摘要：提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在-40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEPROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.

作者：王肖;田佳音;闫娜;闵昊;摘要：提出一种新的低成本射频识别标签模拟前端,同时兼容ISO14443A和ISO14443B协议.相比于传统模拟前端,本设计采用面积更小的单线圈天线代替传统大面积多圈天线,使得标签的封装成本大幅度降低.考虑到单线圈天线的性能降低,设计了一个新的具有高效率低启动电压的电荷泵整流电路.整体电路采用SMIC0.18μmEEPROM工艺实现,测试结果显示电荷泵驱动120kΩ等效负载时,整流效率达到36%,输入交流幅度仅0.5V时,输出电压达到电路工作电压1V.标签的阅读距离可以达到22cm.

作者：吕红亮;张义门;张玉明;车勇;孙明;摘要：研究了界面态对4H-SiCMESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4.386×1013cm-2.eV-1和6.394×10-6F/cm2,这与测量得到的器件端特性一致.

作者：肖德元;谢志峰;季明华;王曦;俞跃辉;摘要：提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比,该器件特别适用于解决常规鳍形场效应管器件所面临的问题,进一步提高器件性能及按比例缩小能力.技术仿真结果显示,圆柱体全包围栅场效应管具备许多常规鳍形场效应管器件,其中包括长方体全包围栅场效应管所不具备的优点.就圆柱体全包围栅场效应管器件结构而言,该器件由无数多个将圆柱体形沟道全部包围的栅所控制.由于克服了由不对称场的积聚,如锐角效应所导致的漏电,器件沟道的电完整性得到很大改善.详细讨论了器件制作工艺流程,提出的工艺流程简单并且与常规CMOS工艺流程兼容.

作者：宋建军;张鹤鸣;舒斌;胡辉勇;戴显英;摘要：基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x

作者：单淑萍;肖景林;摘要：研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关系,同时讨论了振动频率和库仑束缚势、外场之间的变化关系.数值计算结果表明:基态能量的绝对值将随电场强度和库仑束缚势的增加而增加,随磁感应强度和阱宽的增加而减小.当阱宽较小时,量子尺寸效应较为明显.

作者：朱樟明;钱利波;杨银堂;摘要：基于65nmCMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下,提出了被干扰线远端的串扰数值表达式.基于65nmCMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在2.50%内,能应用于纳米级SOC的计算机辅助设计.