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半导体学报-CNKI： f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)2008-04-07 08:00:00
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文) 来自： 半导体学报-CNKI 2008-04-07 08:00:00 作者：程伟;金智;刘新宇;于进勇;徐安怀;齐鸣; 摘要：成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×15μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等... 还没有人对本文章进行了评论,欢迎您发表评论！ |
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