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应变Si_(1-x)Ge_x/SiΔ~i能谷附近色散关系的KP理论推导(英文)
来自: 半导体学报-CNKI  2008-04-07 08:00:00
应变Si_(1-x)Ge_x/SiΔ~i能谷附近色散关系的KP理论推导(英文)作者：宋建军;张鹤鸣;舒斌;胡辉勇;戴显英;
摘要：基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x..

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