提示：以下内容由用户提交的RSS频道的文章摘要预览，如有不妥，请联系我们及时删除，详细内容请至原文查看！ 作者：吴晓虹,闵靖摘要：本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：张国英,刘贵立摘要：本文依据位错的弹性理论建立了半导体锗中 6 0°棱位错模型 ,用Recursion方法计算包含与不包含位错时原子团平均态密度、位错芯及其近邻原子的局域态密度、轨道电子数及原子价 ,得出了锗中 6 0°棱位错附近的局域电子结构 ,并讨论了其对锗光学和电学性质的影响。
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：李忠,徐亚涛,边涛,秦世才摘要：提出了一种改善功率因子和抑制高次谐波的单变换功率因子改善 (PFC)电路。它采用双向开关和同期整流 ,得到了高功率因子、高效率和低高次谐波。
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：宁珺,丁勇,夏冠群,赵福川,毛友德,赵建龙摘要：旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：任学民摘要：日本政府和 1 0家主要的半导体公司正在讨论实施一个耗资 2 0亿美元的五年国家计划以联合开发下一代 0 .1 μｍ以下半导体生产工艺技术。该计划类似于美国的ＳＥＭＡＴＥＣＨ计划 ,旨在提高日本半导体...
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：宋荣利摘要：采用有效质量方法 ,计算了夹在两无限宽势垒层Al0 4Ga0 6As中的单个斜量子阱AlxGa1 -xAs中的束缚态电子包络函数和能级 ,并讨论了阱宽对能级的影响。
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
摘要：位于联合王国剑桥市的日立—剑桥实验室的一个研究小组在ＨａｒｏｏｍＡｈｍｅｄ教授领导下正在研制开发一种相态低电子数驱动存储装置 (ＰＬＥＤＭ ) ,这种存储装置能把全长膜的声音和图象存储在一个单片上。这...
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：何红波,周继承,胡慧芳,李义兵摘要：本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：程宪章摘要：德国新开发出一种Ｄ8ＤＩＳＣＯＶＥＲＴＦＡ薄膜分析仪 ,该仪器是专为测定结晶层和非晶层结构而设计的。这是一种集多种功能于一体的仪器 ,其具有反射率 ,高分辨Ｘ射线衍射 ,晶体结构 ,应力及相分析用掠入...
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
作者：刘艳红,赵宇,王美田,胡礼中,魏希文摘要：本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。
2007-08-19 00:08:06 评论(0)
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