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半导体杂志-CNKI：

InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟

  2007-08-19 00:08:06
半导体杂志-CNKI
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InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟
来自： 半导体杂志-CNKI  2007-08-19 00:08:06
作者：何红波,周继承,胡慧芳,李义兵
摘要：本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。..

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