材料导报-CNKI
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    最近更新:2008-04-18 01:46:04
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摘要:由中国电子学会微波分会和真空电子分会联合主办,长沙隆泰微波热工有限公司承办的第十三届全国微波能应用学术会议于2007年11月14日至16日在长沙五华大酒店举行。参加会议的国内外代表共175名,其中国外14人,国内161人。会议收到国内外学术论文137篇,最终在国家中文核心期刊《材料导报》上正式发表101篇。这些论文涉及领域有:微波化学、微波烧结与合成等高温应用、微波器件与测量、电磁场计算与模拟、资源化利用与废弃物处理、微波等离子技术等。中科院吴培亨院士在会上作了"太赫兹技术及其应用"的特邀报告,国际微波能
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:周勋;沈益斌;段满益;徐明;令狐荣锋;摘要:随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:王贤明;吴跃进;余增亮;摘要:以阿维菌素(AVM)为模型药物,制备了一种中空海藻酸钠(SA)微胶囊。应用灰色系统理论GM(1,1)模型对中空SA微胶囊的缓释性能进行了模拟预测。模型的模拟预测值与实验数据的相对误差较小,表明灰色系统理论可用于模拟和预测中空SA微胶囊的药物释放行为。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:吴裕功;王峬;张慧利;姚远昭;摘要:研究了合成CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电响应氧化物的固相反应。用X射线衍射跟踪反应进程。该反应以CaTiO_3为中间产物。两步合成工艺可以降低完全反应所需温度,并可在不超过1000℃下合成单相CaCu_3Ti_4O_(12)。通过引入过量CuO,进一步提高了介电常数,降低了介电损耗。在1080℃下烧成的CuO过量4mol%的陶瓷试样,相对介电常数为29000,损耗角正切值为0.06(1kHz)。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:李国;胡志强;高岩;刘敬肖;刘贵山;摘要:简要说明了染料敏化太阳能电池中对电极的作用,指出对电极是染料敏化太阳能电池的重要研究方向。详细介绍了各类对电极的特点和制备工艺,通过对比发现,铂对电极性能最好,但高成本限制了它的应用;价格低廉、性能较高的碳和聚合物对电极的发展前景广阔。最后论述了对电极的发展方向和国内外的研究现状。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:施惠生;原峰;许碧莞;摘要:阿利尼特水泥是一种节能水泥。介绍了阿利尼特矿物的组成、结构和固溶能力,总结了阿利尼特水泥的水化硬化性能、力学性能和节能特性,重点分析了氯掺加量和煅烧温度对阿利尼特水泥熟料烧成的影响,提出了利用固体废弃物制备阿利尼特水泥的资源化利用新思路,指出了阿利尼特水泥生产和使用过程中急需解决的技术难题。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:刘莹莹;姚泽坤;郭鸿镇;摘要:介绍了航空发动机用钛合金、高温合金双性能盘的制造技术研究进展。对采用不同工艺制造的双性能盘的力学性能进行了比较,并且提出了双合金-双性能盘制造中存在的主要问题是界面问题,为了解决此问题,很有必要进行双合金界面增强工艺及其增强机理的研究。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:韦敏;邓宏;王培利;李阳;摘要:近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外探测器的研究状况,并对影响探测器性能的ZnO的光电导特性、薄膜微结构、掺杂、金半接触等关键技术进行了探讨,指出推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键在于制备高质量的掺杂薄膜以及进一步提高器件的量子效率。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:邵渭泉;陈沙鸥;李达;戚凭;张永成;张莎莎;摘要:烧结激活能是研究物质烧结机理的重要参量。从实验得到的0.35μm、1μm以及2.5μm 3种粒径的α- Al_2O_3的恒速升温烧结曲线出发,通过Arrhenius关系拟合计算,发现激活能是一个变化的值。当选取整个温度区间进行拟合计算时,烧结激活能值大致可以分为前后两个阶段,前一阶段的激活能值要高于后一阶段的值;当拟合选取的温度区间较窄时,发现烧结过程中随着温度的升高,烧结激活能值先减小后增加。同时观察到坯体起始粒径越大,样品烧结激活能平均值越高。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
作者:左安友;袁作彬;杨建平;李兴鳌;摘要:用直流磁控溅射方法,在氮气分压为0.5Pa、不同的基底温度下,于玻璃基底上制备了Cu_3N薄膜。当基底温度为100℃及以下时,温度越高薄膜的结晶程度越好。当基底温度在100℃以上时,随着基底温度的升高,薄膜的结晶程度逐渐减弱,200℃时结晶已很弱,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体。薄膜的电阻率随基底温度的变化不大,薄膜的沉积速率随基底温度的升高在18~30 nm/min之间近似地线性增大,薄膜的显微硬度随基底温度的升高而略有降低。对基底温度为室温和100℃下制备的氮化铜薄膜进行不同温度下的真空退火,研究了它们的热稳定性。XRD测试表明,薄膜在200℃时开始出现分解,350℃时完全分解。比较在基底温度为室温和100℃下制备的样品,发现室温下制备的氮化铜薄膜比100℃下制备的氮化铜薄膜稳定。
2008-03-21 08:00:00   评论(0)
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