作者：文尉任;王凌云;孙道恒;摘要：场发射真空传感器是采用MEMS加工工艺研制一种新型的基于硅尖阵列场发射原理的微型真空传感器。通过理论分析,确立了该种传感器中硅尖场发射电流与真空度的关系。并利用干法刻蚀工艺,在硅片上制作了高3.2μm,曲率半径小于70nm的200×42硅尖阵列。保持阳极与硅尖距离为1μm的情况下,可以观察到阳极电压为10V左右时开始有明显的场发射电流。实验结果表明,在10V-15V的输入电压范围内,通过测试场发射电流所得到的真空度值,其最大误差不超过10%。该真空传感器具有制作简单、易于集成、信号测量容易、自身不带密封腔等优点,具有潜在的应用前景和市场潜力。

作者：崔强;董树荣;刘俊杰;韩雁;摘要：摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构。这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极。本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局。这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实。测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试。

作者：钱晓霞;李伟华;摘要：对准误差是MEMS表面加工工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义。目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长。主要对MEMS表面加工工艺中导电层和非导电层之间的对准误差测试结构进行了研究,可用于测量表面工艺中牺牲层和多晶硅层之间的对准误差。通过对集成电路中所用的锥形梳状游标结构进行改进,把对准误差的测量转化为电阻的测量,从而实现对准误差的快速电测量,理论上可达到0.1μm的分辨率,测试方法简单快捷,并且很便于测试系统集成。

作者：吕劲楠;唐洁影;摘要：由于MEMS器件的可靠性成为MEMS产品商业化过程中一个重要问题,而冲击断裂是导致器件失效的一个重要原因。本文主要研究多晶硅微悬臂梁在冲击条件下的可靠性,文中阐述了断裂失效机理,并使用应力-强度模型对可靠度进行建模。通过实验统计在各种加速度冲击下的可靠度,并将实验实测值与理论值进行对比。

作者：张涛;吴一辉;张平;刘永顺;于震雷;摘要：基于实现主动微流体芯片的目的,提出了一种非闭合磁路型电磁驱动无阀微泵。微型电磁驱动器采用硅深刻蚀和微电铸工艺制作在硅基体上,微泵泵体的收缩/扩张单元采用微机械工艺制作,采用两步注塑工艺加工磁性PDMS(polymethylsiloxane)振动膜。电磁微泵样机的实验结果显示:该微泵的工作性能稳定,整机具有较高的体积功能比,样机尺寸32mm×28mm×10mm,在0.6A电流输入,工作频率为13Hz时,流量可达180μl/min,零流量下的最大背压达2.75mbar。

作者：兰之康;唐洁影;摘要：多晶硅双端固支梁是MEMS器件中最常用的组件之一,它的疲劳特性直接关系到器件的寿命及安全性.本文针对多晶硅微梁结构进行疲劳可靠性测试,在对其施加循环静电激励后,测试了它的频率变化特性.并分析了频率向高频移动的原因,从而说明了梁的疲劳特性.

作者：陈樟;苏伟;万敏;摘要：通过隐式格子波尔兹曼方程,并采用壁面平衡边界条件以及二阶关系,模拟了微通道气体流动中的非线性压力和壁面滑移速度,模拟结果与Arkilic的解析结果十分吻合,验证了格子波尔兹曼方法在滑移流区的有效性。

作者：娄文忠;徐祥红;郝建伟;张志广;摘要：在单车道路段交通系统中利用车辆的磁特性,使用基于微磁传感器的自动检测系统,可以方便、快捷地获取和处理机动车辆的流量和速度信息。本文提出了一种基于微磁传感器的SOP(Sys-tem on PCB)自动检测系统,能可靠地完成机动车辆弱磁信号的检测、信号处理、数据存储等功能。经过实验验证,真正实现了交通管理中车辆检测的无人化和智能化。

作者：梁丽;王玉娟;陈云飞;摘要：当硬盘驱动器的磁头飞高降至5nm以下时,磁头与磁盘间的分子间作用力不能忽略。以皮米磁头和飞米磁头为模型,模拟了分子间作用力对飞高低于5nm的磁头总承载力的影响。模拟结果表明,分子间作用力改变了飞高低于5nm的磁头承载特性。分子间吸引力使总承载力减小,甚至出现负值,以致使磁头失去承载能力。当飞高进一步降低时,分子间斥力的作用显现出来。由于分子间引力和斥力的作用范围不同,磁头有一段失去承载能力的临界飞高区间。磁头的尺寸因子不同,临界飞高区间也有差别。

作者：戴银宏;王凌云;孙道恒;摘要：介绍了一种基于高压静电打印技术的工作原理。静电打印头结构是由喷孔结构和电极结构复合而成。施加2.5~3.5kV的脉冲电压驱动液滴产生,所得的液滴直径比传统静电喷射方法更小的液滴,直径为1991~201.6nm。同时,考察在2.8kV,3.0kV,3.2kV和3.4kV四种脉冲电压条件下幅值下幅值大小对液滴大小的影响情况,实验结果表明随着脉冲幅值的增大液滴逐渐减小结论。