作者：李晓丽;孙以材;何平;钟晓泉;李晓琳;摘要：介绍了一种新型、高精度的智能气体体积分数测量设备。该设备将ARM7应用到电路中,利用其强大的数据计算处理能力及控制能力,设计出了显示气体体积分数值的测试电路。传感器输出的电信号采用牛顿插值法进行转换,有效地校正传感器的非线性,提高测量的精度。通过C语言编程实现该算法,经测试,该装置的精度误差保持在±1.5%,能够准确地对环境中的气体进行监控,并具有到限报警功能。

作者：牛军;乔建良;常本康;摘要：基于光电阴极光谱响应测试原理,研制了光谱响应在线测试仪,经多次实验验证,准确度达到1 nA,完全能够检测出NEA激活过程中产生的微弱光电信号,且具有良好的重复性。利用该光谱响应测试仪,成功实现了激活台内负电子亲和势(NEA)光电阴极激活过程中的光谱响应在线测试,获得了光谱响应曲线,并将其转换成阴极的量子产额曲线。通过曲线拟合方法计算出反映阴极性能的重要参数,得到了大量的阴极信息,弥补了依靠光电流监控阴极信息的不足。

作者：曹占伦;吴小洪;姜永军;林晓新;摘要：在全自动LED粘片设备中,为了实时快速精确地识别出LED芯片,提出了一种新的金字塔-序贯相似性检测匹配算法,有机地结合了金字塔算法的快速性和序贯相似性检测匹配算法精确性的优点。该算法先采用金字塔算法对目标图像进行分层搜索,呈几何级的减少匹配次数,提高效率,然后用序贯相似性检测匹配算法在很小的区域内进行精匹配,达到准确定位的目的。目前,该算法已在VC++编程环境中编程实现,并在样机上得到应用,达到了工业应用的目的。

摘要：个人计算机世界正在朝超级移动方向发展,Web2·0应用及业务正在重新定义互联网,而飞思卡尔半导体也正在通过高度集成的多核嵌入式计算平台实现这两大发展趋势的融合。一款新近推出的,具有超强移动性且价格低廉...

作者：顾怀怀;程秀兰;施亮;林昆;摘要：金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严重削弱器件数据保持能力。在综合考虑金属纳米晶量子限制效应和库仑阻塞效应的基础上,提出了金属纳米晶存储器件数据保持能力分析模型,并通过与相关研究文献的实验数据对比分析,证实了本模型的合理性。

作者：邹松青;刘学平;段广洪;吴小峰;摘要：介绍了LED固晶机的工作原理,阐述了其系统设计思想和实现方法,分析了其运动控制系统采用基于PCI总线的运动控制卡与IPC工控机相结合的方案,其气动部分和机器视觉部分也是通过PCI总线实现相互间的数据通信,讨论了其运动控制的核心内容运动时序的控制。该系统通过了实验室的调试,具有高精度、高速度、人机交互性好等特点。

作者：胡志富;王生国;何大伟;蔡树军;摘要：分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性。设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数。发现对截圆锥结构的通孔,用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36%。设计了一个14~18 GHz、增益大于17 dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路,验证了模型的准确性。

作者：程鹏;魏廷存;魏晓敏;李博;摘要：混合信号VLSI芯片的单片特性验证是此类芯片的设计难题之一。针对典型的混合信号VLSI芯片——单片集成薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片,设计了一种能够直观模拟液晶显示的系统级验证平台,并利用此验证平台验证了系统架构的正确性。还针对此芯片的设计特点,结合系统验证平台为整个设计流程的各个阶段提出了不同的验证策略。通过对这些策略的配合使用,对芯片特性进行了全面验证,包括模块级验证、芯片级验证以及物理验证。该验证策略具有高效、直观、可靠等特点。

作者：李嘉颖;周继承;罗宏伟;摘要：研究了传统传输线脉冲测试波形的失真机理,实现了一种基于R-2R网络的负载电路匹配特性优化设计方案,与传统传输线脉冲测试波形相比,优化之后的系统消除了传统设备所产生脉冲波形的过冲和振荡现象,从而提高了传输线脉冲测试效率。同时,在相同的预充电电压下,优化之后的系统能提供更大能量的测试脉冲,减小系统功耗。该工作对半导体器件的ESD保护电路设计和ESD模型研究具有实用价值。

作者：乔峻石;李冬梅;摘要：基于UMC 0.18混合信号工艺,设计了一种低功耗逐次逼近ADC,重点考虑了功耗的优化和电路的改进,采用了开关运放技术,降低了传统缓冲器30%左右的能量消耗,同时比较器低功耗的设计也使该ADC节能的优点更加突出,同时比较器采用了失调校准技术,这样就能够满足10 bit精度的要求。在电源电压1.8 V、采样频率100 kHz的条件下,仿真得到该逐次逼近ADC信噪比为61.66 dB,而静态功耗仅为26μW。该设计的芯片版图面积为1 mm×1 mm。